Datasheet > 2N6851

2N6851

更新时间： 2024-11-21 14:56:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
7页	1065K
描述
-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6851 with Hermetic Packaging

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6851 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	75 mJ	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MILITARY STANDARD (USA)	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6851 数据手册

PD-90551G

IRFF9230

JANTX2N6851

JANTXV2N6851

JANS2N6851

REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED

HEXFET^®TRANSISTORS

200V, P-CHANNEL

REF: MIL-PRF-19500/564

THRU-HOLE TO-205AF (TO-39)

Product Summary

Part Number

BVDSS

RDS(on)

I_D

IRFF9230

-200V

-4.0A

0.80

TO-39

Description

Features

The HEXFET^®technology is the key to International

Rectifier’s HiRel advanced line of power MOSFET transistors.

The efficient geometry and unique processing of this latest

“State of the Art” design achieves: very low on state

resistance combined with high trans conductance.

 Repetitive Avalanche Ratings

 Dynamic dv/dt Rating

 Hermetically Sealed

 Simple Drive Requirements

 ESD Rating: Class 1C per MIL-STD-750,

Method 1020

The HEXFET transistors also feature all of the well

established advantages of MOSFETs such as voltage

control, very fast switching and temperature stability of the

electrical parameters.

They are well suited for applications such as switching power

supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers

and high energy pulse circuits.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Value

Parameter

Units

I_D1@ V_GS= -10V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D2@ V_GS= -10V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

-4.0

-2.4

-16

I_DM@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 25°C

Pulsed Drain Current 

W/°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.20

± 20

V_GS

E_AS

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

I_AR

E_AR

Avalanche Current 

-4.0

2.5

V/ns

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

dv/dt

-5.0

T_J

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

Weight

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)

0.98 (Typical)

For Footnotes, refer to the page 2.

2019-03-26

International Rectifier HiRel Products, Inc.

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

2N6851 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N6851	INFINEON	完全替代	POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-4.0A)
JANTX2N6851	INFINEON	完全替代	POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-4.0A)
JANS2N6851	INFINEON	完全替代	HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)

与2N6851相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6851EA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6851EB	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6851EC	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6851ED	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6851EDPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6851EPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6851PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
2N6851SCC5206/003	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6851TX	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
2N6851TXV	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

与2N6851相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6851

2N6851 技术参数

2N6851 数据手册

2N6851 替代型号

与2N6851相关器件

与2N6851相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6851

2N6851 技术参数

2N6851 数据手册

2N6851 替代型号

与2N6851相关器件

与2N6851相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？