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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.37 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF9222 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFF9223 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFF9230 | INFINEON |
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HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) |
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| IRFF9230 | INTERSIL |
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-4.0A, -200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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| IRFF9230 | TEMIC |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFF9230 | SEME-LAB |
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P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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| IRFF9230 | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 200V 4A 3-Pin TO-39 |
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| IRFF9230-2 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 4 A, 200 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205, FET General Purpose |
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| IRFF9231 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFF9231 | RENESAS |
获取价格 |
4A, 150V, 0.8ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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