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IRFF9220PBF

更新时间： 2024-09-27 12:59:31
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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7页 133K
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IRFF9220PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.64雪崩能效等级（Eas）：180 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (ID)：2.5 A最大漏源导通电阻：1.725 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-205AF
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFF9220PBF 数据手册

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PD - 90553C  
IRFF9220  
JANTX2N6847  
JANTXV2N6847  
REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED  
HEXFET TRANSISTORS  
THRU-HOLE (TO-205AF)  
REF:MIL-PRF-19500/563  
200V, P-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number BVDSS RDS(on)  
IRFF9220 -200V 1.5Ω  
ID  
-2.5A  
The HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.  
The efficient geometry and unique processing of this latest  
“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-  
tance combined with high transconductance.  
TO-39  
The HEXFET transistors also feature all of the well  
established advantages of MOSFETs such as volt-  
age control, very fast switching, ease of parelleling  
and temperature stability of the electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Hermetically Sealed  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
They are well suited for applications such as switch-  
ing power supplies, motor controls, inverters, chop-  
pers, audio amplifiers and high energy pulse circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
-2.5  
-1.6  
-10  
D
GS  
C
A
I
D
= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
20  
W
W/°C  
V
D
C
0.16  
±20  
V
GS  
Gate-to-Source Voltage  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
180  
mJ  
AS  
I
—
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
—
mJ  
AR  
dv/dt  
-5.0  
-55 to 150  
V/ns  
T
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
0.98(typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
01/22/01  
1234567

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IRFF9220PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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