IRFF9220PBF

更新时间： 2024-11-24 12:59:31

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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IRFF9220PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.64	雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	1.725 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFF9220PBF 数据手册

PD - 90553C

IRFF9220

JANTX2N6847

JANTXV2N6847

REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED

HEXFET TRANSISTORS

THRU-HOLE (TO-205AF)

REF:MIL-PRF-19500/563

200V, P-CHANNEL

Product Summary

Part Number BVDSS RDS(on)

IRFF9220 -200V 1.5Ω

-2.5A

The HEXFET technology is the key to International

Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.

The efficient geometry and unique processing of this latest

“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-

tance combined with high transconductance.

TO-39

The HEXFET transistors also feature all of the well

established advantages of MOSFETs such as volt-

age control, very fast switching, ease of parelleling

and temperature stability of the electrical parameters.

Features:

Repetitive Avalanche Ratings

Dynamic dv/dt Rating

Hermetically Sealed

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

They are well suited for applications such as switch-

ing power supplies, motor controls, inverters, chop-

pers, audio amplifiers and high energy pulse circuits.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= -10V, T = 25°C

Continuous Drain Current

-2.5

-1.6

-10

= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

@ T = 25°C

W/°C

0.16

±20

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

180

—

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

—

dv/dt

-5.0

-55 to 150

V/ns

Storage Temperature Range

^oC

STG

Lead Temperature

Weight

300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)

0.98(typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

01/22/01

12 3 4 5 6 7

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IRFF9220PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFF9220	INTERSIL	功能相似	-2.5A, -200V, 1.5 Ohm, P-Channel Power MOSFETs

与IRFF9220PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFF9221	ROCHESTER	获取价格	2.5A, 150V, 1.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
IRFF9222	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFF9223	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFF9230	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)
IRFF9230	INTERSIL	获取价格	-4.0A, -200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRFF9230	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFF9230	SEME-LAB	获取价格	P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39
IRFF9230	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET P-CH 200V 4A 3-Pin TO-39
IRFF9230-2	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4 A, 200 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205, FET General Purpose
IRFF9231	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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