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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.12 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF9220PBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRFF9221 | ROCHESTER |
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2.5A, 150V, 1.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
|
| IRFF9222 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFF9223 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFF9230 | INFINEON |
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HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) |
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| IRFF9230 | INTERSIL |
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-4.0A, -200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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| IRFF9230 | TEMIC |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFF9230 | SEME-LAB |
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P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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| IRFF9230 | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 200V 4A 3-Pin TO-39 |
|
| IRFF9230-2 | VISHAY |
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TRANSISTOR 4 A, 200 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205, FET General Purpose |
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