是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.64 | 雪崩能效等级(Eas): | 180 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (ID): | 2.5 A | 最大漏源导通电阻: | 1.725 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-205AF |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10 A | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IRFF9220PBF | INFINEON | 暂无描述 |
获取价格 |
|
IRFF9221 | ROCHESTER | 2.5A, 150V, 1.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
获取价格 |
|
IRFF9222 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
获取价格 |
|
IRFF9223 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
获取价格 |
|
IRFF9230 | INFINEON | HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) |
获取价格 |
|
IRFF9230 | INTERSIL | -4.0A, -200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
获取价格 |