是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.12 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 180 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 2.5 A |
最大漏源导通电阻: | 1.725 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-205AF | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2N6847 | INFINEON |
完全替代 |
-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6847 with Hermetic Packag | |
JANTX2N6847 | INFINEON |
完全替代 |
POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-2.5A) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFF9220PBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 | |
IRFF9221 | ROCHESTER |
获取价格 |
2.5A, 150V, 1.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | |
IRFF9222 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
IRFF9223 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
IRFF9230 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) | |
IRFF9230 | INTERSIL |
获取价格 |
-4.0A, -200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFET | |
IRFF9230 | TEMIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
IRFF9230 | SEME-LAB |
获取价格 |
P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 | |
IRFF9230 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 200V 4A 3-Pin TO-39 | |
IRFF9230-2 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 4 A, 200 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205, FET General Purpose |