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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 180 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.725 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N6847 | INFINEON |
完全替代  |
-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6847 with Hermetic Packag |
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| JANTX2N6847 | INFINEON |
完全替代 |
POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-2.5A) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF9220PBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFF9221 | ROCHESTER |
获取价格 |
2.5A, 150V, 1.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| IRFF9222 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFF9223 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFF9230 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) |
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| IRFF9230 | INTERSIL |
获取价格 |
-4.0A, -200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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| IRFF9230 | TEMIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFF9230 | SEME-LAB |
获取价格 |
P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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| IRFF9230 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 200V 4A 3-Pin TO-39 |
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| IRFF9230-2 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 4 A, 200 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205, FET General Purpose |
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