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IRFE420

更新时间： 2024-02-17 22:37:16

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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS

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IRFE420 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N18	针数：	18
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.27
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	0.242 mJ
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	1.4 A
最大漏源导通电阻：	3.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CQCC-N18	元件数量：	1
端子数量：	18	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	14 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	5.6 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	90 ns
最大开启时间（吨）：	70 ns

IRFE420 数据手册

PD - 93986

REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED

HEXFET TRANSISTORS

IRFE420

JANTX2N6794U

SURFACE MOUNT (LCC-18)

JANTXV2N6794U

[REF:MIL-PRF-19500/555]

500V, N-CHANNEL

Product Summary

Part Number

BVDSS

RDS(on)

IRFE420

500V

3.0Ω

1.4A

The leadless chip carrier (LCC) package represents the

logical next step in the continual evolution of surface

mount technology. Desinged to be a close replacement

for the TO-39 package, the LCC will give designers the

extra flexibility they need to increase circuit board den-

sity. International Rectifier has engineered the LCC pack-

age to meet the specific needs of the power market by

increasing the size of the bottom source pad, thereby

enhancing the thermal and electrical performance. The

lid of the package is grounded to the source to reduce

RF interference.

LCC-18

Features:

Surface Mount

Small Footprint

Alternative to TO-39 Package

Hermetically Sealed

Dynamic dv/dt Rating

Avalanche Energy Rating

Simple Drive Requirements

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 10V, T = 25°C

Continuous Drain Current

1.4

0.90

5.6

= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

@ T = 25°C

W/°C

0.11

±20

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

0.112

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

dv/dt

3.5

V/ns

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Pckg. Mounting Surface Temp.

Weight

300 (for 5 S)

0.42(typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

10/25/00

12 3 4 5 6 7

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IRFE420 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N6794U	INFINEON	类似代替	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS
JANTX2N6794U	INFINEON	功能相似	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS

与IRFE420相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFE430	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTOR
IRFE430PBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFE430SCS	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFE430SCV	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFE430SCVPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFE430SCX	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFE430SCXPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFE9024	INFINEON	获取价格	60V, P-CHANNEL
IRFE9110	SEME-LAB	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFET
IRFE9110	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)

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