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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CQCC-N14 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.13 | 雪崩能效等级（Eas）： | 87 mJ |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.38 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CQCC-N14 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 14 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8.8 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFE9120 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
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| IRFE9120 | SEME-LAB |
获取价格 |
P–CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRFE9120SCS | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRFE9120SCV | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFE9123 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 800MA I(D) | DIP |
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| IRFE9130 | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR |
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| IRFE9130 | SEME-LAB |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| IRFE9130SCVPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRFE9210 | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
|
| IRFE9220 | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
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