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IRFEA240PBF

更新时间： 2024-02-12 20:56:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 244K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.18ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-28

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IRFEA240PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, S-CQCC-N28Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：80 mJ配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-CQCC-N28元件数量：4
端子数量：28工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFEA240PBF 数据手册

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PD - 93978  
HEXFET® POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (LCC-28)  
IRFEA240  
200V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BV  
DSS  
RDS(on)  
ID  
IRFEA240  
200V  
0.18Ω  
11A  
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance  
per silicon unit area. This benefit, combined with the  
fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice  
for use in a wide variety of applications.  
LCC-28  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Avalanche Energy Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
These devices are well-suited for applications such  
as switching power supplies, motor controls, invert-  
ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse  
circuits.  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
11  
7.0  
D
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
44  
DM  
@ T = 25°C  
P
50  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.4  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy ➁  
Avalanche Current ➀  
±20  
80  
GS  
E
mJ  
A
AS  
I
11  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
5.0  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
5.0  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Package Mounting Surface Temperature  
Weight  
300 (for 5 s)  
0.89  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
10/20/00  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 60V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IRFF024 INFINEON

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