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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.17 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 65 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF110 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFF110 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFF110 | INTERSIL |
获取价格 |
3.5A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRFF110 | GE |
获取价格 |
Power MOS Field-Effect Transistors |
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| IRFF110 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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| IRFF110 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 3-Pin TO-39 |
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| IRFF110 | INFINEON |
获取价格 |
100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF110 with Hermetic Packag |
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| IRFF110R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 3-Pin TO-39 |
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| IRFF111 | GE |
获取价格 |
Power MOS Field-Effect Transistors |
|
| IRFF111 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 80V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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