Datasheet > IRFF110

IRFF110

更新时间： 2024-02-22 16:14:20

品牌	Logo	应用领域
SEME-LAB		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
1页	16K
描述
N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFF110 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	19 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	15 W
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	45 ns
最大开启时间（吨）：	45 ns	Base Number Matches：	1

IRFF110 数据手册

IRFF110

Dimensions in mm (inches).

N-Channel MOSFET

8.64 (0.34)

9.40 (0.37)

8.01 (0.315)

9.01 (0.355)

in a

Hermetically sealed TO39

Metal Package.

4.06 (0.16)

4.57 (0.18)

0.89

max.

(0.035)

12.70

(0.500)

min.

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

dia.

N-Channel MOSFET.

V_DSS= 100V

5.08 (0.200)

typ.

2.54

(0.100)

I_D= 3.5A

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

R_DS(ON)= 0.6Ω

0.71 (0.028)

0.53 (0.021)

All Semelab hermetically sealed products can be

processed in accordance with the requirements

of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and

JANS specifications.

45°

TO39 (TO205AF)

PINOUTS

1 – Source

2 – Gate

3 - Drain

Parameter

Min.

Typ.

Max.

100

3.5

Units

V_DSS

I_D

Drain – Source Breakdown Voltage

Continuous Drain Current

Power Dissipation

P_D

R_DS(ON)

C_ISS

Q_g

Static Drain – Source On–State Resistance

Input Capacitance

0.6

Ω

180

Total Gate Charge

6.5

t_td(on)

t_tr

t_td(off)

t_f

Turn–On Delay Time

Rise Time

Turn–Off Delay Time

Fall Time

This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact sales@semelab.co.uk.

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab plc.

Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Generated

11-Oct-02

中文翻译

下载PDF

与IRFF110相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFF110R	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 3-Pin TO-39
IRFF111	GE	获取价格	Power MOS Field-Effect Transistors
IRFF111	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 80V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFF111	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFF111	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 80V 14A 3-Pin TO-39
IRFF111R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| TO-205AF
IRFF112	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFF112	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFF112	GE	获取价格	Power MOS Field-Effect Transistors
IRFF112	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin TO-39

与IRFF110相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

4
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

3
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

3
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFF110

IRFF110 技术参数

IRFF110 数据手册

与IRFF110相关器件

与IRFF110相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFF110

IRFF110 技术参数

IRFF110 数据手册

与IRFF110相关器件

与IRFF110相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？