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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 36 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 170 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 110 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF123 | GE |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors |
|
| IRFF123 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| IRFF123R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-205AF |
|
| IRFF130 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
|
| IRFF130 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFF130 | INTERSIL |
获取价格 |
8.0A, 100V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| IRFF130 | GE |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
|
| IRFF130 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 3-Pin TO-39 |
|
| IRFF130 | INFINEON |
获取价格 |
100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF130 with Hermetic Packag |
|
| IRFF130R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF |
|
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