是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BCY |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.12 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 8 A | 最大漏源导通电阻: | 0.18 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-205AF |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFF130R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF | |
IRFF131 | GE |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS | |
IRFF131 | ROCHESTER |
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8A, 80V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | |
IRFF131R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF | |
IRFF132 | GE |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS | |
IRFF132R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-205AF | |
IRFF133 | GE |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS | |
IRFF133R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-205AF | |
IRFF210 | INTERSIL |
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2.2A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET | |
IRFF210 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET剖T |