是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BCY |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.12 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 0.242 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.35 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-205AF | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 20 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 24 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 110 ns | 最大开启时间(吨): | 110 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFF120R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-205AF | |
IRFF121 | GE |
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N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors | |
IRFF121 | ROCHESTER |
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6A, 80V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | |
IRFF121R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-205AF | |
IRFF122 | GE |
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N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors | |
IRFF122 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IRFF122R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-205AF | |
IRFF123 | GE |
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N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors | |
IRFF123 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
IRFF123R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-205AF |