IRFF024

更新时间： 2024-01-01 05:46:38

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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7页	135K
描述
60V, N-CHANNEL

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IRFF024 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	雪崩能效等级（Eas）：	110 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.17 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	82 ns
最大开启时间（吨）：	84 ns

IRFF024 数据手册

PD - 90657

REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED

HEXFET TRANSISTORS

THRU-HOLE (TO-205AF)

IRFF024

60V, N-CHANNEL

Product Summary

Part Number BVDSS RDS(on)

IRFF024 60V 0.15Ω

8.0A

The HEXFET technology is the key to International

Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.

The efficient geometry and unique processing of this latest

“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-

tance combined with high transconductance.

TO-39

The HEXFET transistors also feature all of the well

established advantages of MOSFETs such as volt-

age control, very fast switching, ease of parelleling

and temperature stability of the electrical parameters.

Features:

Repetitive Avalanche Ratings

Dynamic dv/dt Rating

Hermetically Sealed

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

They are well suited for applications such as switch-

ing power supplies, motor controls, inverters, chop-

pers, audio amplifiers and high energy pulse circuits.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 10V, T = 25°C

Continuous Drain Current

8.0

5.7

= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

@ T = 25°C

W/°C

0.16

±20

110

—

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

—

dv/dt

5.5

V/ns

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Lead Temperature

Weight

300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)

0.98(typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

01/23/01

12 3 4 5 6 7

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与IRFF024相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFF034	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package
IRFF034	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16.2A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFF110	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFF110	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFF110	INTERSIL	获取价格	3.5A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFF110	GE	获取价格	Power MOS Field-Effect Transistors
IRFF110	SEME-LAB	获取价格	N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39
IRFF110	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 3-Pin TO-39
IRFF110	INFINEON	获取价格	100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF110 with Hermetic Packag
IRFF110R	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 3-Pin TO-39

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