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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 25 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF024 | INFINEON |
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60V, N-CHANNEL |
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| IRFF024 | SEME-LAB |
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N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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| IRFF034 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| IRFF034 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16.2A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFF110 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFF110 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFF110 | INTERSIL |
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3.5A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRFF110 | GE |
获取价格 |
Power MOS Field-Effect Transistors |
|
| IRFF110 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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| IRFF110 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 3-Pin TO-39 |
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