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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.21 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 25 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFF014PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 60V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| IRFF024 | INFINEON |
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60V, N-CHANNEL |
|
| IRFF024 | SEME-LAB |
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N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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| IRFF034 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| IRFF034 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16.2A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFF110 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFF110 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFF110 | INTERSIL |
获取价格 |
3.5A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| IRFF110 | GE |
获取价格 |
Power MOS Field-Effect Transistors |
|
| IRFF110 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 |
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