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IRFE9110

更新时间： 2024-09-27 05:39:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲局域网
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)

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IRFE9110 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N16	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.3
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	102 mJ
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.2 A
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	1.38 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CQCC-N16
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	16	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	11 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFE9110 数据手册

PD - 91721C

REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED

HEXFET TRANSISTORS

IRFE9110

SURFACE MOUNT (LCC-18)

100V, P-CHANNEL

Product Summary

Part Number BVDSS RDS(on)

IRFE9110 -100V 1.2Ω

-2.5A

LCC-18

The leadless chip carrier (LCC) package represents the

logical next step in the continual evolution of surface

mount technology. Desinged to be a close replacement

for the TO-39 package, the LCC will give designers the

extra flexibility they need to increase circuit board den-

sity. International Rectifier has engineered the LCC pack-

age to meet the specific needs of the power market by

increasing the size of the bottom source pad, thereby

enhancing the thermal and electrical performance. The

lid of the package is grounded to the source to reduce

RF interference.

Features:

n Surface Mount

n Small Footprint

n Alternative to TO-39 Package

n Hermetically Sealed

n Dynamic dv/dt Rating

n Avalanche Energy Rating

n Simple Drive Requirements

n Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= -10V, T = 25°C

Continuous Drain Current

-2.5

= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current

-1.6

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

-10

@ T = 25°C

W/°C

0.12

Gate-to-SourceVoltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

102

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

dv/dt

-14

V/ns

-55 to 150

STG

StorageTemperature Range

^oC

Pckg. Mounting Surface Temp.

Weight

300 (for 5 S)

0.42(typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

10/03/01

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFE9120	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFE9120	SEME-LAB	获取价格	P–CHANNEL POWER MOSFET
IRFE9120SCS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFE9120SCV	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFE9123	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| ARRAY \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 800MA I(D) \| DIP
IRFE9130	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR
IRFE9130	SEME-LAB	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFET
IRFE9130SCVPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFE9210	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
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