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IRFE9120

更新时间： 2024-01-22 06:40:27

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SEME-LAB		晶体晶体管开关脉冲
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2页	23K
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P–CHANNEL POWER MOSFET

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IRFE9120 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	LCC	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
针数：	18	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.77
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	115 mJ
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	3.5 A
最大漏源导通电阻：	0.69 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CQCC-N15	元件数量：	1
端子数量：	15	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFE9120 数据手册

2N6845LCC4

IRFE9120

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

P–CHANNEL

POWER MOSFET

9.14 (0.360)

8.64 (0.340)

1.27 (0.050)

1.07 (0.040)

V_DSS

-100V

-3.5A

≈ 2.16 (0.085)

12 13 14 15 16

1.39 (0.055)

1.02 (0.040)

I_D(cont)

R_DS(on)

Ω

0.6

7.62 (0.300)

7.12 (0.280)

0.76 (0.030)

0.51 (0.020)

FEATURES

0.33 (0.013)

0.08 (0.003)

Rad.

• SURFACE MOUNT

• SMALL FOOTPRINT

0.43 (0.017)

0.18 (0.007

Rad.

1.39 (0.055)

1.15 (0.045)

1.65 (0.065)

1.40 (0.055)

• HERMETICALLY SEALED

• DYNAMIC dv/dt RATING

LCC4

• AVALANCHE ENERGY RATING

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

• LIGHTWEIGHT

GATE

DRAIN

SOURCE

Pins 4,5

Pins1,2,15,16,17,18

Pins 6,7,8,9,10,11,12,13

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

±20V

-3.5A

(V = -10V , T

= 25°C)

case

(V = -10V , T = 100°C)

case

-2.2A

Pulsed Drain Current

-14A

Power Dissipation @ T = 25°C

case

14W

Linear Derating Factor

0.09W/°C

115mJ

Single Pulse Avalanche Energy

dv/dt

T , T

Peak Diode Recovery

-5.0V/ns

-55 to +150°C

300°C

Operating and Storage Temperature Range

Surface Temperature ( for 5 sec).

stg

Notes

1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, δ ≤ 2%

2) @ V = -25V , Peak I = -3.5A , Starting T = 25°C

3) @ I ≤ -3.5A , di/dt ≤ -110A/µs , V ≤ BV

, T ≤ 150°C , Suggested R = 7.5Ω

J G

DSS

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

Document Number 5518

Issue 1

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFE9120SCS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFE9120SCV	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFE9123	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| ARRAY \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 800MA I(D) \| DIP
IRFE9130	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR
IRFE9130	SEME-LAB	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFET
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IRFE9210	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFE9220	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
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