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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFE430SCX
IRFE430SCX PDF预览

IRFE430SCX

更新时间： 2024-01-08 10:13:08
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 131K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18

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IRFE430SCX 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：LCC
包装说明：CHIP CARRIER, R-CQCC-N15针数：18
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.65
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：0.31 mJ
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：2.5 A
最大漏源导通电阻：1.725 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CQCC-N15元件数量：1
端子数量：15工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：11 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFE430SCX 数据手册

 浏览型号IRFE430SCX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFE430SCX的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFE430SCX的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFE430SCX的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFE430SCX的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFE430SCX的Datasheet PDF文件第7页 
Provisional Data Sheet No. PD - 9.1719  
IRFE430  
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6802U  
HEXFET® TRANSISTOR  
JANTXV2N6802U  
[REF:MIL-PRF-19500/557]  
N-CHANNEL  
Product Summary  
500Volt, 1.50Ω, HEXFET  
The leadless chip carrier (LCC) package represents  
the logical next step in the continual evolution of  
surface mount technology. The LCC provides  
designers the extra flexibility they need to increase  
circuit board density. International Rectifier has  
engineered the LCC package to meet the specific  
needs of the power market by increasing the size of  
the bottom source pad, thereby enhancing the  
thermal and electrical performance. The lid of the  
package is grounded to the source to reduce RF  
interference.  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
IRFE430  
500V  
1.50Ω  
2.5A  
Features:  
n
n
n
n
n
n
Hermetically Sealed  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Small footprint  
Surface Mount  
Lightweight  
HEXFET transistors also feature all of the well-es-  
tablished advantages of MOSFETs, such as volt-  
age control, very fast switching, ease of paralleling  
and electrical parameter temperature stability.They  
are well-suited for applications such as switching  
power supplies, motor controls, inverters, choppers,  
audio amplifiers and high-energy pulse circuits, and  
virtually any application where high reliability is re-  
quired.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
IRFE430, JANTX-, JANTXV-, 2N6802U Units  
I
D
@ V  
= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
2.5  
GS  
C
A
I
D
@ V  
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
1.5  
11  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current   
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
DM  
@ T = 25°C  
P
25  
W
W/K ꢀ  
V
D
C
0.20  
±20  
V
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ‚  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction  
0.31  
6.2  
mJ  
AS  
dv/dt  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
300 ( for 5 seconds)  
0.42 (typical)  
Surface Temperature  
Weight  
12/3097  
12345678

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与IRFE430SCX相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFE430SCXPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFE9024 INFINEON

获取价格

 		60V, P-CHANNEL
IRFE9110 SEME-LAB

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 		P-CHANNEL POWER MOSFET
IRFE9110 INFINEON

获取价格

 		REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFE9120 INFINEON

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 		HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFE9120 SEME-LAB

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 		P–CHANNEL POWER MOSFET
IRFE9120SCS INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFE9120SCV INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFE9123 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 800MA I(D) | DIP
IRFE9130 INFINEON

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