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IRFE9123

更新时间: 2024-02-06 22:31:38
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 94K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 800MA I(D) | DIP

IRFE9123 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最大漏极电流 (Abs) (ID):0.8 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):3 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

IRFE9123 数据手册

  

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