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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF3710L
IRF3710L PDF预览

IRF3710L

更新时间： 2024-11-08 22:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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10页 186K
描述
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)

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IRF3710L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.1Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：280 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：57 A
最大漏源导通电阻：0.023 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF3710L 数据手册

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PD-91310C  
IRF3710S/L  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Surface Mount (IRF3710S)  
l Low-profile through-hole (IRF3710L)  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 100V  
RDS(on) = 0.025Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
ID = 57A  
Description  
S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETs  
arewellknownfor,providesthedesignerwithanextremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible on-  
resistance in any existing surface mount package. The  
D2Pak is suitable for high current applications because of  
itslowinternalconnectionresistanceandcandissipateup  
to 2.0W in a typical surface mount application.  
The through-hole version (IRF3710L) is available for low-  
profile applications.  
2
T O -262  
D
Pak  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
57  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Pulsed Drain Current ꢀ  
40  
A
180  
3.8  
200  
1.3  
± 20  
530  
28  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
20  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.75  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**  
–––  
40  
5/13/98  
1234567...10

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