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IRF3711STRR

更新时间： 2024-02-15 00:55:48

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其他 - ETC		晶体晶体管
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11页	289K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 110A I(D) \| TO-263AB

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IRF3711STRR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	92 A
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.006 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	79 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	380 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF3711STRR 数据手册

PD- 94062A

IRF3711

IRF3711S

IRF3711L

SMPS MOSFET

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High Frequency Isolated DC-DC

V_DSS

20V

R_DS(on)max

I_D

Converters with Synchronous Rectification

for Telecom and Industrial Use

6.0mΩ

110A

l High Frequency Buck Converters for

Server Processor Power Synchronous FET

l Optimized for Synchronous Buck

Converters Including Capacitive Induced

Turn-on Immunity

Benefits

l Ultra-Low Gate Impedance

D²Pak

IRF3711S

TO-262

IRF3711L

TO-220AB

IRF3711

l Very Low RDS(on) at 4.5V V_GS

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V_DS

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 20

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

110

440

P_D@T_C= 25°C

P_D@T_A= 25°C

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipationꢀ

Linear Derating Factor

120

3.1

0.96

W/°C

°C

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

Max.

1.04

–––

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

–––

0.50

–––

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

Junction-to-Ambient (PCB mount)ꢀ

°C/W

Notes through are on page 11

www.irf.com

6/18/01

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与IRF3711STRR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRF3711STRRPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF3711Z	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRF3711ZCL	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRF3711ZCLPBF	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRF3711ZCS	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRF3711ZCSPBF	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格