5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRF3805L-7PPBF
IRF3805L-7PPBF PDF预览

IRF3805L-7PPBF

更新时间： 2024-01-24 21:18:56
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
12页 299K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF3805L-7PPBF 数据手册

 浏览型号IRF3805L-7PPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF3805L-7PPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF3805L-7PPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF3805L-7PPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF3805L-7PPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF3805L-7PPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 97205A  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF3805S-7PPbF  
IRF3805L-7PPbF  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
D
VDSS = 55V  
‰
RDS(on) = 2.6mΩ  
G
S
ID = 160A  
Description  
S (Pin 2, 3, 5, 6, 7)  
G (Pin 1)  
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitiveavalancherating. Thesefeaturescom-  
bine to make this design an extremely efficient  
andreliabledeviceforuseinAutomotiveapplica-  
tions and a wide variety of other applications.  
D2Pak 7 Pin  
TO-263CA 7 Pin  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
@ TC = 25°C  
240  
170  
160  
1000  
300  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
D
D
D
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)  
(Package Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
DM  
P
@TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
D
2.0  
± 20  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS  
440  
680  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (tested)  
IAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
A
EAR  
mJ  
°C  
Repetitive Avalanche Energy  
T
J
-55 to + 175  
Operating Junction and  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.50  
–––  
62  
Units  
°C/W  
RθJC  
Junction-to-Case  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
12/05/06  
1234567...12

中文翻译

下载PDF

IRF3805L-7PPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF3805S-7PPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET㈢ Power MOSFET

与IRF3805L-7PPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF3805LPBF INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3805PBF INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3805S INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3805S-7P INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3805S-7PPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF3805SPBF INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3805STRL-7PP INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 55V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRF3805STRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF3808 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=1
IRF3808L INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=1

与IRF3805L-7PPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证