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IRF3805SPBF

更新时间： 2024-02-08 21:24:12
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12页 418K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

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IRF3805SPBF 数据手册

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PD - 97046  
IRF3805PbF  
IRF3805SPbF  
IRF3805LPbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
RDS(on) = 3.3mΩ  
G
Description  
ID = 75A  
Specifically designed for Automotive applications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processingtechniquestoachieveextremelylowon-  
resistance per silicon area. Additional features of  
thisdesign area175°Cjunctionoperatingtempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive  
avalanche rating . These features combine to make  
thisdesignanextremelyefficientandreliabledevice  
foruseinAutomotiveapplicationsandawidevariety  
of other applications.  
S
D2Pak  
TO-262  
IRF3805LPbF  
TO-220AB  
IRF3805PbF  
IRF3805SPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
210  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
@ T = 100°C  
150  
A
C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package limited)  
Pulsed Drain Current  
@ T = 25°C  
75  
C
890  
300  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
W
D
C
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
2.0  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Thermally limited)  
AS (Tested )  
650  
940  
mJ  
E
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
EAR  
mJ  
T
T
-55 to + 175  
J
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.5  
Units  
°C/W  
Junction-to-Case  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
–––  
62  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
–––  
40  
www.irf.com  
1
9/20/05  
1234567...12

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IRF3805SPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF3805STRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3206PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
IRF3805S INFINEON

类似代替

 AUTOMOTIVE MOSFET

与IRF3805SPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF3805STRL-7PP INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 55V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRF3805STRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF3808 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=1
IRF3808L INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=1
IRF3808LPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF3808PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF3808S INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3808SLPBF INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
IRF3808SPBF INFINEON

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 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3808SPBF_15 INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology

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