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IRF3805STRL-7PP

更新时间： 2024-11-07 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 638K
描述
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 55V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-7

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IRF3805STRL-7PP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, D2PAK-7Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.85
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：680 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.16 A
最大漏极电流 (ID)：160 A最大漏源导通电阻：0.0026 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1000 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF3805STRL-7PP 数据手册

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PD - 96904A  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF3805S-7P  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
D
VDSS = 55V  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
‰
RDS(on) = 2.6mΩ  
G
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
S
ID = 160A  
S (Pin 2, 3, 5, 6, 7)  
G (Pin 1)  
Description  
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitiveavalancherating. Thesefeaturescom-  
bine to make this design an extremely efficient  
andreliabledeviceforuseinAutomotiveapplica-  
tions and a wide variety of other applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
240  
Units  
A
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
@ TC = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
D
D
D
170  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)  
160  
(Package Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
1000  
300  
DM  
P
@TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
D
2.0  
± 20  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS  
440  
680  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (tested)  
IAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
A
EAR  
mJ  
°C  
Repetitive Avalanche Energy  
T
J
-55 to + 175  
Operating Junction and  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.50  
–––  
62  
Units  
°C/W  
RθJC  
Junction-to-Case  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
12/06/06  
1234567...11

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IRF3805STRL-7PP 替代型号

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