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IRF3808STRL

更新时间： 2024-11-19 23:58:51
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描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-262

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IRF3808STRL 数据手册

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PD - 94338A  
IRF3808S  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF3808L  
Typical Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
●
Integrated Starter Alternator  
●
42 Volts Automotive Electrical Systems  
D
Benefits  
VDSS = 75V  
●
●
●
●
●
●
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
RDS(on) = 0.007Ω  
G
ID = 106A†  
S
Description  
Designed specifically for Automotive applications, this Advanced  
Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET utilizes the latest pro-  
cessing techniques to achieve extremely low on-resistance per  
silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET  
area175°Cjunctionoperatingtemperature, lowRθJC, fastswitch-  
ingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating. Thiscombina-  
tion makes the design an extremely efficient and reliable choice for  
use in higher power Automotive electronic systems and a wide  
variety of other applications.  
D2Pak  
IRF3808S  
TO-262  
IRF3808L  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
106†  
75†  
A
550  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
200  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
1.3  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
430  
mJ  
A
82  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
5.5  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy‡  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.75  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB Mounted, Steady State)**  
–––  
40  
HEXFET(R) is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
03/08/02  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF3808STRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF3808STRR ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 106A I(D) | TO-263AB
IRF3808STRRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF-3820UH+-10%RJ4 VISHAY

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 		General Purpose Inductor, 820uH, 10%, Ferrite-Core,
IRF-3820UH10% VISHAY

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 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 820 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
IRF-382UH+-10%EVE2 VISHAY

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 		General Purpose Inductor, 82uH, 10%, Ferrite-Core,
IRF-382UH+-5%ERE2 VISHAY

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 		General Purpose Inductor, 82uH, 5%, Ferrite-Core,
IRF-382UH+-5%RJ1 VISHAY

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 		General Purpose Inductor, 82uH, 5%, Ferrite-Core,
IRF3CMS17N80 INFINEON

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 		800V Single N-Channel Hermetic MOSFET in a TO-254AA Low Ohmic package -
IRF3CMS17N80SCX INFINEON

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