IRF4104L

更新时间： 2024-02-11 16:11:27

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AUTOMOTIVE MOSFET

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IRF4104L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.14
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	220 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0055 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	140 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	470 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF4104L 数据手册

PD - 94639A

IRF4104

IRF4104S

IRF4104L

AUTOMOTIVE MOSFET

Features

HEXFET^®Power MOSFET

●

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

175°C Operating Temperature

Fast Switching

V_DSS= 40V

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

R_DS(on)= 5.5mΩ

Description

I_D= 75A

Specifically designed for Automotive applications,

this HEXFET^®Power MOSFET utilizes the latest

processingtechniquestoachieveextremelylowon-

resistance per silicon area. Additional features of

thisdesign area175°Cjunctionoperatingtempera-

ture, fast switching speed and improved repetitive

avalanche rating . These features combine to make

thisdesignanextremelyefficientandreliabledevice

foruseinAutomotiveapplicationsandawidevariety

of other applications.

D²Pak

TO-262

IRF4104L

TO-220AB

IRF4104

IRF4104S

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

120

Units

(Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T = 25°C

@ T = 100°C

(Package limited)

@ T = 25°C

470

140

@T = 25°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

0.95

± 20

W/°C

E_{AS (Thermally limited)}

120

220

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

Avalanche Current

E_AS(Tested )

I_AR

See Fig.12a, 12b, 15, 16

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

Operating Junction and

-55 to + 175

Storage Temperature Range

°C

STG

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

300 (1.6mm from case )

10 lbf in (1.1N m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

1.05

–––

Units

R_θ

°C/W

Junction-to-Case

R_θ

0.50

–––

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

Junction-to-Ambient

–––

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

www.irf.com

8/29/03

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRF4104PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF4104S	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRF4104SPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF4104STRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF4104STRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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IRF420	INTERSIL	获取价格	2.2A and 2.5A, 450V and 500V, 3.0 and 4.0 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
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