5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> IRF4104
IRF4104 PDF预览

IRF4104

更新时间： 2024-09-24 22:24:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
13页 280K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF4104 数据手册

 浏览型号IRF4104的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF4104的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF4104的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF4104的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF4104的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF4104的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 94639A  
IRF4104  
IRF4104S  
IRF4104L  
AUTOMOTIVE MOSFET  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
●
●
●
●
●
Advanced Process Technology  
D
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
VDSS = 40V  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
RDS(on) = 5.5mΩ  
G
Description  
ID = 75A  
Specifically designed for Automotive applications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processingtechniquestoachieveextremelylowon-  
resistance per silicon area. Additional features of  
thisdesign area175°Cjunctionoperatingtempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive  
avalanche rating . These features combine to make  
thisdesignanextremelyefficientandreliabledevice  
foruseinAutomotiveapplicationsandawidevariety  
of other applications.  
S
D2Pak  
TO-262  
IRF4104L  
TO-220AB  
IRF4104  
IRF4104S  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
120  
84  
Units  
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
@ T = 100°C  
C
A
(Package limited)  
@ T = 25°C  
C
75  
470  
140  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.95  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
120  
220  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.05  
–––  
62  
Units  
Rθ  
°C/W  
JC  
CS  
JA  
JA  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
www.irf.com  
1
8/29/03  
1234567...13

中文翻译

下载PDF

IRF4104 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRF4104 INFINEON

类似代替

 HEXFET® Power MOSFET
IRF4104PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢ Power MOSFET
STD1NB80 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N - CHANNEL 800V - 16ohm - 1A - DPAK/IPAK PowerMESH MOSFET

与IRF4104相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF4104L INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF4104LPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF4104PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF4104S INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF4104SPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF4104STRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF4104STRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF4104STRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF420 SAMSUNG

获取价格

 		N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF420 INTERSIL

获取价格

 		2.2A and 2.5A, 450V and 500V, 3.0 and 4.0 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

与IRF4104相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证