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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF3805STRLPBF
IRF3805STRLPBF PDF预览

IRF3805STRLPBF

更新时间： 2024-02-04 00:58:02
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 361K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRF3805STRLPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.09其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：940 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：210 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.0033 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：890 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF3805STRLPBF 数据手册

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PD - 95880  
IRF3805  
IRF3805S  
IRF3805L  
AUTOMOTIVE MOSFET  
Features  
l
HEXFET® Power MOSFET  
Advanced Process Technology  
D
l
l
l
l
Ultra Low On-Resistance  
VDSS = 55V  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
RDS(on) = 3.3mΩ  
G
Description  
ID = 75A  
Specifically designed for Automotive applications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processingtechniquestoachieveextremelylowon-  
resistance per silicon area. Additional features of  
thisdesign area175°Cjunctionoperatingtempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive  
avalanche rating . These features combine to make  
thisdesignanextremelyefficientandreliabledevice  
foruseinAutomotiveapplicationsandawidevariety  
of other applications.  
S
D2Pak  
IRF3805S  
TO-262  
IRF3805L  
TO-220AB  
IRF3805  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
220  
160  
75  
Units  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package limited)  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
@ T = 100°C  
A
C
@ T = 25°C  
C
890  
130  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
W
D
C
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
2.2  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
AS (Tested )  
730  
940  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
E
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
EAR  
mJ  
T
T
-55 to + 175  
J
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.45  
–––  
62  
Units  
°C/W  
Junction-to-Case  
Rθ  
JC  
Rθ  
CS  
Rθ  
JA  
Rθ  
JA  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
–––  
40  
www.irf.com  
1
10/21/04  
1234567...12

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