是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 16 weeks |
风险等级: | 1.62 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级(Eas): | 940 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 160 A |
最大漏极电流 (ID): | 160 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0033 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-262AA |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 890 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF3805STRLPBF | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
AUIRF3805S | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET? Power MOSFET | |
IRF3805SPBF | INFINEON |
功能相似 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AUIRF3805L-7P | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET | |
AUIRF3805S | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET? Power MOSFET | |
AUIRF3805S-7P | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET | |
AUIRF3805S-7PTRL | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET | |
AUIRF3805S-7PTRR | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET | |
AUIRF3805S-7TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 55V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
AUIRF3805STRL | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET? Power MOSFET | |
AUIRF3805STRR | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET? Power MOSFET | |
AUIRF3808 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 75V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
AUIRF3808S | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |