5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRF3808STRL
AUIRF3808STRL PDF预览

AUIRF3808STRL

更新时间： 2024-09-17 12:56:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 225K
描述
HEXFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

AUIRF3808STRL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.13
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：430 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：106 A最大漏极电流 (ID)：106 A
最大漏源导通电阻：0.007 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：550 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AUIRF3808STRL 数据手册

 浏览型号AUIRF3808STRL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AUIRF3808STRL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AUIRF3808STRL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AUIRF3808STRL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AUIRF3808STRL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AUIRF3808STRL的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 97698A  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRF3808S  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
●
●
●
●
●
●
●
●
●
Advanced Planar Technology  
D
Low On-Resistance  
Dynamic dV/dT Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Fully Avalanche Rated  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free, RoHS Compliant  
Automotive Qualified *  
VDSS  
75V  
RDS(on) typ.  
5.9m  
7.0m  
G
max.  
S
ID  
106A  
Description  
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,  
this Stripe Planar design of HEXFET® Power  
MOSFETs utilizes the latest processing tech-  
niques to achieve low on-resistance per silicon  
area. This benefit combined with the fast switch-  
ing speed and ruggedized device design that  
HEXFET power MOSFETs are well known for,  
provides the designer with an extremely efficient  
and reliable device for use in Automotive and a  
wide variety of other applications.  
S
D
G
D2Pak  
AUIRF3808S  
G
Gate  
D
S
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are  
stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the  
specifications is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device  
reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions.  
Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Symbol  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
Max.  
106  
Units  
75  
A
550  
PD @TC = 25°C  
200  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
W
W/°C  
V
1.3  
VGS  
EAS  
IAR  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
430  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Avalanche Current  
mJ  
A
82  
See Fig. 12a, 12b, 15, 16  
5.5  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery  
mJ  
V/ns  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
°C  
300  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.75  
40  
Units  
°C/W  
RJC  
Junction-to-Case  
R  
Junction-to-Ambient (PCB Mounted, steady-state)  
–––  
JA  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
11/29/11  
1234567...13

中文翻译

下载PDF

AUIRF3808STRL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRF3808 INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 75V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRF3808STRR INFINEON

功能相似

 HEXFET Power MOSFET
AUIRF3808S INFINEON

功能相似

 HEXFET Power MOSFET

与AUIRF3808STRL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AUIRF3808STRR INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
AUIRF4104 INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRF4104S INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRF4104STRL INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRF4104STRR INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRF44VZSTRL INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE GRADE
AUIRF4905 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 74A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
AUIRF4905L INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
AUIRF4905S INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
AUIRF4905STRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

与AUIRF3808STRL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证