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IRF3717TRPBF

更新时间: 2024-11-25 19:55:07
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 193K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 20V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8

IRF3717TRPBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code:compliant风险等级:7.99
其他特性:GREEN雪崩能效等级(Eas):32 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):20 A最大漏源导通电阻:0.0044 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:MS-012AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G8湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):160 A表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRF3717TRPBF 数据手册

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PD - 95719  
IRF3717PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l Synchronous MOSFET for Notebook  
Processor Power  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
4.4m @VGS = 10V  
20V  
20A  
l Synchronous Rectifier MOSFET for  
Isolated DC-DC Converters in  
Networking Systems  
A
A
D
1
2
3
4
8
S
S
S
G
l Lead-Free  
7
D
6
D
Benefits  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Very Low RDS(on)  
5
D
SO-8  
Top View  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
20  
Units  
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
20  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
@ TA = 70°C  
16  
A
160  
2.5  
1.6  
DM  
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
Power Dissipation  
Power Dissipation  
W
D
D
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.02  
W/°C  
°C  
T
-55 to + 150  
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
Rθ  
Rθ  
°C/W  
JL  
–––  
50  
JA  
Notes  through „ are on page 10  
www.irf.com  
1
8/10/04  

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