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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF3710STRLPBF
IRF3710STRLPBF PDF预览

IRF3710STRLPBF

更新时间： 2024-11-25 12:28:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 297K
描述
Advanced Process Technology

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IRF3710STRLPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.63Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：280 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：57 A
最大漏极电流 (ID)：57 A最大漏源导通电阻：0.023 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF3710STRLPBF 数据手册

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PD - 95108A  
IRF3710SPbF  
IRF3710LPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 100V  
RDS(on) = 23mΩ  
G
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
ID = 57A  
S
Description  
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize  
advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per  
silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in  
a wide variety of applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die  
sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest  
possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is  
suitable for high current applications because of its low internal connection  
resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.  
The through-hole version (IRF3710L) is available for low-profile applications.  
D2Pak  
IRF3710SPbF  
TO-262  
IRF3710LPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V‡  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V‡  
Pulsed Drain Current ‡  
57  
40  
A
180  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
200  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
1.3  
VGS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Avalanche Current  
28  
20  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ‡  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
5.8  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.75  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB Mounted,steady-state)**  
–––  
40  
www.irf.com  
1
09/15/09  
1234567...10

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IRF3710STRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF3710SPBF INFINEON

完全替代

 HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on)
IRF3710STRRPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET® Power MOSFET
IRF3710S INFINEON

功能相似

 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)

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