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IRF3710ZLPBF

更新时间： 2024-11-24 22:06:59
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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12页 324K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

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IRF3710ZLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.58
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：59 A
最大漏极电流 (ID)：59 A最大漏源导通电阻：0.018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF3710ZLPBF 数据手册

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PD - 95466  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF3710ZPbF  
IRF3710ZSPbF  
IRF3710ZLPbF  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
●
●
●
●
●
●
●
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
D
VDSS = 100V  
RDS(on) = 18mΩ  
G
Description  
ID = 59A  
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. Additional fea-  
turesofthisdesign area175°Cjunctionoperating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitive avalanche rating . These features com-  
bine to make this design an extremely efficient  
and reliable device for use in Automotive applica-  
tions and a wide variety of other applications.  
S
D2Pak  
TO-262  
IRF3710ZL  
TO-220AB  
IRF3710Z  
IRF3710ZS  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
59  
Units  
A
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
D
D
42  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)  
Pulsed Drain Current  
240  
160  
DM  
P
@TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
1.1  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
170  
200  
mJ  
E
AS (tested)  
Avalanche Current  
IAR  
EAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
°C  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.92  
–––  
62  
Units  
°C/W  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Junction-to-Case  
JC  
CS  
JA  
JA  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
0.50  
–––  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
6/30/04  
1234567...12

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