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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.66 | 雪崩能效等级（Eas）： | 130 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 92 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.006 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 79 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 380 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF3711PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF3711S | INFINEON |
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POWER MANAGEMENT CHIPSET FOR 3-PHASE VRM 9.0 CONVERTERS |
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| IRF3711SPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF3711STRL | INFINEON |
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High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and In |
|
| IRF3711STRR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB |
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| IRF3711STRRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF3711Z | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF3711ZCL | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF3711ZCLPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF3711ZCS | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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