IRF3711LPBF

更新时间： 2024-11-27 04:23:15

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HEXFET Power MOSFET

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IRF3711LPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IRF3711LPBF 数据手册

PD-94948

IRF3711PbF

IRF3711SPbF

IRF3711LPbF

SMPS MOSFET

Applications

l HighFrequencyIsolatedDC-DC

HEXFET^®Power MOSFET

Converters with Synchronous Rectification

for Telecom and Industrial Use

V_DSS

20V

R_DS(on)max

I_D

110A

6.0mΩ

l High Frequency Buck Converters for

Server Processor Power Synchronous FET

l Optimized for Synchronous Buck

Converters Including Capacitive Induced

Turn-on Immunity

l Lead-Free

Benefits

D²Pak

TO-262

l Ultra-LowGateImpedance

TO-220AB

IRF3711PbF

IRF3711SPbF IRF3711LPbF

Very Low RDS(on) at 4.5V V_GS

l FullyCharacterizedAvalancheVoltage

and Current

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V_DS

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 20

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

110

440

P_D@T_C= 25°C

P_D@T_A= 25°C

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipationꢀ

Linear Derating Factor

120

3.1

0.96

W/°C

°C

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

Max.

1.04

–––

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

–––

0.50

–––

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

Junction-to-Ambient (PCB mount)ꢀ

°C/W

Notes through are on page 11

www.irf.com

2/27/04

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