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IRF3709STRLPBF PDF预览

IRF3709STRLPBF

更新时间： 2024-11-25 18:26:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 237K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRF3709STRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：5.09雪崩能效等级（Eas）：382 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.009 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF3709STRLPBF 数据手册

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PD - 95495  
IRF3709PbF  
IRF3709SPbF  
IRF3709LPBF  
SMPS MOSFET  
Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
l High Frequency Isolated DC-DC  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial Use  
l High Frequency Buck Converters for  
Server Processor Power Synchronous FET  
l Optimized for Synchronous Buck  
Converters Including Capacitive Induced  
Turn-on Immunity  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
ID  
90A  
†
9.0mΩ  
l Lead-Free  
Benefits  
l Ultra-Low Gate Impedance  
D2Pak  
IRF3709S  
TO-262  
IRF3709L  
TO-220AB  
IRF3709  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Max.  
30  
Units  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
V
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
90†  
57  
A
360  
PD @TC = 25°C  
PD @TA = 25°C  
Maximum Power Dissipationƒ  
Maximum Power Dissipationꢀ  
Linear Derating Factor  
120  
W
W
3.1  
0.96  
mW/°C  
°C  
TJ , TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
Max.  
1.04  
–––  
62  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
–––  
0.50  
–––  
–––  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface „  
Junction-to-Ambient„  
Junction-to-Ambient (PCB mount)ꢀ  
°C/W  
40  
Notes  through † are on page 11  
www.irf.com  
1
07/01/04  
1234567...12

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IRF3709STRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF3709SPBF INFINEON

完全替代

 SMPS MOSFET
IRF3709S INFINEON

功能相似

 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id

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 		暂无描述
IRF3709ZCSTRLP INFINEON

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