是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | LEAD FREE, D2PAK-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 15 weeks |
风险等级: | 1.4 | 雪崩能效等级(Eas): | 60 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 42 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0063 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 350 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF3709ZS | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF3709ZSPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF3709ZTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 | |
IRF3710 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=23mohm, Id=57A) | |
IRF3710L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A) | |
IRF3710LPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) | |
IRF3710LTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor | |
IRF3710LTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor | |
IRF3710PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF3710S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A) | |
IRF3710SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) | |
IRF3710STRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology |