是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LEAD FREE PACKAGE-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 7.6 |
雪崩能效等级(Eas): | 60 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 87 A | 最大漏极电流 (ID): | 42 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0063 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 79 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 350 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF3709ZS | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF3709ZSPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF3709ZSTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRF3709ZSTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 | |
IRF3709ZSTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRF3709ZTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 | |
IRF3710 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=23mohm, Id=57A) | |
IRF3710L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A) | |
IRF3710LPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) | |
IRF3710LTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |