IRF3709Z

更新时间： 2024-02-21 06:55:45

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HEXFET Power MOSFET

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IRF3709Z 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.14	雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	42 A
最大漏源导通电阻：	0.0063 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF3709Z 数据手册

PD - 95835

IRF3709Z

IRF3709ZS

IRF3709ZL

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High Frequency Synchronous Buck

Converters for Computer Processor Power

V_DSSR_DS(on)max

6.3m:

30V

17nC

Benefits

l Low R_DS(on)at 4.5V V_GS

l Low Gate Charge

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

D²Pak

IRF3709ZS

TO-262

IRF3709ZL

TO-220AB

IRF3709Z

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

± 20

Gate-to-Source Voltage

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_C= 25°C

@ T_C= 100°C

350

@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

@T_C= 100°C

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.53

W/°C

°C

-55 to + 175

Storage Temperature Range

STG

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

300 (1.6mm from case)

10 lbf in (1.1N m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

1.89

Units

°C/W

R_θJC

Junction-to-Case

R_θJA

–––

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

Notes through are on page 12

www.irf.com

1/16/04

12 3 4 5 6 7...12

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