IRF3709Z

更新时间： 2024-02-21 23:44:25

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HEXFET Power MOSFET

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IRF3709Z 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.14	雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	42 A
最大漏源导通电阻：	0.0063 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF3709Z 数据手册

IRF3709Z/S/L

9.00

Vgs = 10V

= 21A

8.00

= 125°C

7.00

6.00

5.00

4.00

= 125°C

= 25°C

10.0

20.0

30.0

40.0

50.0

60.0

70.0

I , Drain Current (A)

Gate -to -Source Voltage (V)

GS,

Fig 12. On-Resistance vs. Drain Current

Fig 13. On-Resistance vs. Gate Voltage

Current Regulator

Same Type as D.U.T.

Vds

50KΩ

.2µF

Vgs

12V

.3µF

250

D.U.T.

TOP

5.4A

8.0A

Vgs(th)

200

150

100

3mA

BOTTOM 17A

Qgs1

Qgs2

Qgd

Qgodr

Current Sampling Resistors

Fig 14a&b. Basic Gate Charge Test Circuit

and Waveform

15V

(BR)DSS

DRIVER

D.U.T

100

125

150

175

20V

0.01

Ω

Starting T , Junction Temperature (°C)

Fig 16. Maximum Avalanche Energy

Fig 15a&b. Unclamped Inductive Test circuit

vs. Drain Current

and Waveforms

www.irf.com

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