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IRF3709STRLPBF

更新时间: 2024-01-20 09:35:33
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 237K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

IRF3709STRLPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:End Of Life
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:5.09雪崩能效等级(Eas):382 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):75 A
最大漏源导通电阻:0.009 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):360 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRF3709STRLPBF 数据手册

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Note: For the most current drawings please refer to the IR website at:  
http://www.irf.com/package/  

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