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IRF3709STRLPBF

更新时间： 2024-02-08 16:36:22

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	237K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRF3709STRLPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	5.09	雪崩能效等级（Eas）：	382 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF3709STRLPBF 数据手册

IRF3709/S/LPbF

1200

1000

800

600

400

200

15V

TOP

13A

19A

BOTTOM 30A

DRIVER

D.U.T

20V

0.01

Ω

Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit

(BR)DSS

100

125

150

Starting T , Junction Temperature( C)

Fig 12c. Maximum Avalanche Energy

Vs. Drain Current

Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms

Current Regulator

Same Type as D.U.T.

50KΩ

.2µF

12V

.3µF

V_GS

D.U.T.

3mA

Current Sampling Resistors

Charge

Fig 13b. Gate Charge Test Circuit

Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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IRF3709ZCL	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRF3709ZCLPBF	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRF3709ZCS	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRF3709ZCSPBF	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格