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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.08 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 28 A | 最大漏极电流 (ID)： | 27 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AE | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 108 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF1302LTRR | INFINEON |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF140 | INFINEON |
功能相似 |
TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF140-143 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V |
|
| IRF1404 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=1 |
|
| IRF1404 | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF1404 | KERSEMI |
获取价格 |
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance |
|
| IRF1404L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=1 |
|
| IRF1404L | KERSEMI |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRF1404LPBF | KERSEMI |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRF1404LPBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
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| IRF1404PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRF1404PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
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