是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.08 |
雪崩能效等级(Eas): | 250 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 28 A | 最大漏极电流 (ID): | 28 A |
最大漏源导通电阻: | 0.089 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-204AE | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 112 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF1404ZSTRLPBF | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRF1404ZSPBF | INFINEON |
功能相似 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF140-143 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V | |
IRF1404 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=1 | |
IRF1404 | FREESCALE |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRF1404 | KERSEMI |
获取价格 |
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance | |
IRF1404L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=1 | |
IRF1404L | KERSEMI |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET | |
IRF1404LPBF | KERSEMI |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET | |
IRF1404LPBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET | |
IRF1404PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET | |
IRF1404PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Advanced Process Technology |