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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 1.69 | JESD-609代码： | e3 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 端子面层： | TIN |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPG20N04S4-18A | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
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| IPG20N04S4L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPG20N04S4L-07A | INFINEON |
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车规级MOSFET |
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| IPG20N04S4L07ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0072ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPG20N04S4L-08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPG20N04S4L-08A | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
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| IPG20N04S4L08AATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0082ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPG20N04S4L-11 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPG20N04S4L-11A | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0116ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPG20N04S4L11AATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0116ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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