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IPG20N04S4-12A

更新时间： 2024-01-15 15:35:35

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Power Field-Effect Transistor

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IPG20N04S4-12A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.69	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	TIN
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IPG20N04S4-12A 数据手册

IPG20N04S4-12A

1 Power dissipation

2 Drain current

_tot= f(T _C); V_GS≥ 6 V; one channel active

I _D= f(T _C); V_GS≥ 6 V; one channel active

100

150

200

100

150

200

T_C[°C]

3 Safe operating area

4 Max. transient thermal impedance

Z _thJC= f(t _p)

I _D=f(V_DS); T _C=25°C; D =0; one channel active

parameter: t _p

parameter: D =t _p/T

10¹

100

1 µs

10 µs

0.5

100 µs

10⁰

0.1

0.05

1 ms

10^-1

0.01

single pulse

10^-2

0.1

100

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

V_DS[V]

t_p[s]

Rev. 1.0

page 4

2013-02-28

1 2 345 6 7...9

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