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IPG20N04S4-12A

更新时间： 2024-02-15 11:50:28

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Power Field-Effect Transistor

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IPG20N04S4-12A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.69	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	TIN
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IPG20N04S4-12A 数据手册

IPG20N04S4-12A

Values

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min.

typ.

max.

Dynamic characteristics²⁾

Input capacitance⁴⁾

Output capacitance⁴⁾

Reverse transfer capacitance⁴⁾

Turn-on delay time

Rise time

C _iss

C _oss

C_rss

t _d(on)

t _r

1130

300

1470 pF

390

_GS=0 V, V_DS=25 V,

f =1 MHz

_DD=20 V, V_GS=10 V,

I _D=20 A, R _G=11 Ω

t _d(off)

t _f

Turn-off delay time

Fall time

Gate Charge Characteristics^{2, 4)}

Gate to source charge

Gate to drain charge

Q _gs

4.6

Q _gd

V_DD=32 V, I _D=20 A,

_GS=0 to 10 V

Q _g

Gate charge total

5.5

V_plateau

Gate plateau voltage

Reverse Diode

Diode continous forward current²⁾

one channel active

I _S

1.3

T _C=25 °C

Diode pulse current²⁾

one channel active

I _S,pulse

V_SD

t _rr

V_GS=0 V, I _F=17 A,

T _j=25 °C

Diode forward voltage

0.9

V_R=20 V, I _F=I _S,

di_F/dt =100 A/µs

Reverse recovery time²⁾

Reverse recovery charge^{2, 4)}

Q _rr

¹⁾Current is limited by bondwire; with an R _thJC=3.7 K/W the chip is able to carry 44A at 25°C.

²⁾Specified by design. Not subject to production test.

³⁾Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm²(one layer, 70 µm thick) copper area for drain

connection. PCB is vertical in still air.

⁴⁾Per channel

Rev. 1.0

page 3

2013-02-28

1 234 5 6 7...9

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