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IPB180N04S4-01 PDF预览

IPB180N04S4-01

更新时间： 2024-01-26 09:41:06
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
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9页 164K
描述
OptiMOS-T2 Power-Transistor

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IPB180N04S4-01 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-263
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6针数：7
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：5.6
Is Samacsys：N其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：550 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：180 A最大漏极电流 (ID)：180 A
最大漏源导通电阻：0.0013 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：188 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：720 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB180N04S4-01 数据手册

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IPB180N04S4-01  
OptiMOS®-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
R DS(on)  
I D  
40  
1.3  
180  
V
mΩ  
A
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO263-7-3  
• AEC qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green product (RoHS compliant)  
• Ultra low Rds(on)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPB180N04S4-01  
PG-TO263-7-3  
4N0401  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
T C=25°C, VGS=10V1)  
I D  
Continuous drain current  
180  
180  
A
T C=100 °C,  
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
I AS  
T C=25 °C  
720  
550  
I D=90 A  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
A
-
180  
VGS  
Ptot  
-
±20  
V
T C=25 °C  
Power dissipation  
188  
W
°C  
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2010-04-13  
1234567...9

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IPB180N04S4-01 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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IPB180N04S401ATMA1 INFINEON

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IPB180N04S4-H0 INFINEON

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 		OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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 		? 仿真/ SPICE-型号l
IPB180N04S4L01ATMA1 INFINEON

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 		本培训解释了TOLG的优势以及该封装的目标工业应用和汽车应用；并列出了当前可用的产品系列，
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 		Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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