是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 14 weeks |
风险等级: | 5.64 | 其他特性: | ULTRA-LOW RESISTANCE |
雪崩能效等级(Eas): | 530 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 180 A | 最大漏源导通电阻: | 0.00105 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 720 A |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB180N03S4L-H0 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB180N04S3-02 | INFINEON |
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OptiMOS®-T Power-Transistor | |
IPB180N04S4-00 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB180N04S400ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.00098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
IPB180N04S4-01 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB180N04S401ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB180N04S4-H0 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB180N04S4H0ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB180N04S4L-01 | INFINEON |
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? 仿真/ SPICE-型号l | |
IPB180N04S4L01ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |