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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-263 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.26 |
| 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 980 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 180 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 180 A | 最大漏源导通电阻： | 0.00095 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 720 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPB180N03S4L-01 | INFINEON |
类似代替  |
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| IPB180N04S4-01 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPB180N04S401ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB180N04S4-H0 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPB180N04S4H0ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB180N04S4L-01 | INFINEON |
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? 仿真/ SPICE-型号l |
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| IPB180N04S4L01ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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本培训解释了TOLG的优势以及该封装的目标工业应用和汽车应用；并列出了当前可用的产品系列， |
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